2008年4月19日 星期六

IBM 推出新記憶體 10 年內終結硬碟

Researchers Move Closer To New Class of Memory
http://www.physorg.com/news127140539.html

April 11, 2008

由於 IBM 的科學家團隊,結合快閃記憶體(flash)的高效能與可靠度以及硬碟(HDD)的高容量之電腦記憶體,比你所認為的還要更加靠近。

在 二篇發表於 4/11 當期 Science 的論文中,IBM 研究員 Stuart Parkin 以及在 IBM Almaden 研究中心的同事描述了被封為「racetrack memory」的基礎,以及這項技術的里程碑。與今日的可能性相較,這項里程碑將導致電子裝置能夠在相同空間中貯存更多資料,同時具有閃電般的開機時間, 更低的成本、空前的穩定度與耐久性。

在未來 10 年內,racetrack memory,之所以如此命名,是因為資料繞著導線的「軌道(track)」「競逐(races)」 -- 那沒有可移動的部件,也因此更加耐久 -- 能夠在同樣容量的空間中保有更多資料,較之今日可能技術多出百倍,同時具有超低成本與耗電量。這項裝置,不只能在同樣空間中儲存更大量資訊,而且需要更少 的電力並產生更少熱量,而且幾乎是牢不可破;結果:大量的個人資料貯存(如 iPod)可在一顆電池下持續運作一週,且能維持數十年之久。

" 那涉及到金屬自旋電子學的研究,是種令人興奮的冒險,因為其開端幾乎是在 20 年前,當我們進行自旋值結構研究的時候," Dr. Parkin 說。"非常有趣的物理學與自旋電子學材料工程的結合,一次一個原子層,持續具備高度挑戰性且獲益良多。racetrack memory 的承諾 -- 例如:能夠在你的口袋中攜帶大量資訊 -- 將解開創造力的束縛,導致任何人都未曾想像過的裝置及應用產生。"

IBM 對於開創全新市場並不陌生,幾個改變遊戲規則的、在 IBM Research 發明的東西包括記憶體晶片、硬碟與關聯式資料庫。

目 前,儲存數位資訊有二種主要方式:固態隨機存取快閃記憶體,通常用於手機、音樂播放器與數位相機等裝置;以及磁性硬碟,通常用於桌上與膝上型電腦與某些手 持式裝置中。而這二種儲存裝置以相當迅速的步調演化,將單一資料位元儲存在硬碟中的成本依然比快閃記憶體便宜 100 倍。雖然低成本的硬碟相當具有吸引力,不過這些裝置本質上很慢,而且有許多可移動的部件,具有快閃記憶體技術所沒有的可靠性問題。

然而,快閃記憶體亦有其短處 -- 雖然讀取資料很快,但寫入卻很慢,而且壽命有限。快閃記憶體只能重複使用數千次,它終將會「破損」,因為每當使用者「重新寫入」時,它就會輕微受損。

racetrack memory 就沒有可動部件,它並非以電荷的綜效貯存資料,而是使用電子的「自旋(spin)」來貯存資料,它沒有會磨損的機制,所以可以無限制讀寫。


racetrack,你可以更靠近一點看:
http://www.youtube.com/watch?v=dJf3z9AfiVM

進 15 年來,科學家都在探索將資料貯存在「磁域壁(magnetic domain walls)」的可能性,那是磁性材料中,磁域之間的邊界。到目前為止,操縱磁域壁相當昂貴、複雜,而且得使用顯著的電力產生必要的場。在描述他們里程碑 的文章「Current Controlled Magnetic Domain-Wall Nanowire Shift Register」中,Dr. Parkin 與他的團隊描述這種存在已久的障礙可利用自旋極化(spin polarized)電流與磁域壁中磁化作用(magnetization)之間的交互作用來克服;這導致一種作用在磁域壁上的自旋轉移力矩(spin transfer torque)產生,使它移動。自旋動量轉移的使用,在相當程度上簡化了記憶裝置,因為電流直接通過磁域壁而無須任何額外的場產生器。

在 一篇描述 racetrack 基本原理的 review paper,「Magnetic Domain-Wall Racetrack Memory」中,Dr. Parkin 等人描述利用磁域將資料儲存在磁性材料(racetracks)的圓柱中,那在矽晶片表面以水平或垂直方式排列。磁域壁接著會在圓柱中形成,沿著 racetracks 以相反方向(例如:上或下)描繪出被磁化區域的輪廓。每個磁域有個「頭」(正或北極)與「尾」(負或南極)。連續的磁域壁沿著 racetrack 在「頭對頭」與「尾對尾」之間交替配置。在連貫磁域壁之間的間隔(這就是位元長度),受到沿著 racetrack 製造的固定點(pinning sites)所控制。

在他們的論文中,科學家描述他們透過時機恰當的、奈秒長的連續自旋極化電流脈衝,利 用水平的高導磁合金(permalloy)奈米線來示範連續創造、移動與偵測磁域壁。寫入與轉移磁域壁的週期時間只有幾時奈秒。這些結果描繪出磁性轉移暫 存器(magnetic shift register,磁移暫存器)的基本概念,是依賴自旋動量轉移的現象,來移動一系列密集間隔的磁域壁 -- 在可移動磁域壁中儲存資料的幾十年老概念,一種全新的利用。

最終,研究者預期 racetrack 將會演化成 3D,建構出新奇的 3D racetrack 記憶裝置,這是來自於傳統二維陣列(如電晶體、硬碟)的典範轉移。藉由移動至三維,racetrack memory 將開啟新的、非摩爾定律的可能性。(後面解釋略譯。)

※ 相關報導:

* Magnetic Domain-Wall Racetrack Memory
http://www.sciencemag.org/cgi/content/abstract/320/5873/190

Stuart S. P. Parkin, Masamitsu Hayashi, Luc Thomas
Science 11 April 2008: Vol. 320. no. 5873, pp. 190 - 194
DOI: 10.1126/science.1145799
* Current-Controlled Magnetic Domain-Wall Nanowire Shift Register
http://www.sciencemag.org/cgi/content/abstract/320/5873/209
Masamitsu Hayashi, Luc Thomas, Rai Moriya, Charles Rettner,
Stuart S. P. Parkin
Science 11 April 2008: Vol. 320. no. 5873, pp. 209 - 211
DOI: 10.1126/science.1154587